hi，诸君，这里是快乐的肌肉。
关于Flash模拟EEPROM之前讲过原理，没有实操难题，毕竟各厂家的拿来改改就能用。
最近有朋友在移植RH850的EEL(EEPROM Emulation Library)时，遇到了个问题，我想有必要记录在案，方便查阅。
1.问题现象
平台芯片RH850 F1KM-S4，DFlash 128KB且初始状态。
问题如下图所示：EEL初始化阶段，在写入EEL Header时，写入地址是0xFF210004，但实际写到了0xFF200004，也就是DFlash首地址，与预期不符。
忽略FF210000的乱码，手册上早就写了：
Values read from data flash memory that has been erased but not yet been programmed again are undefined.
也就是没有任何东西写到0xFF210004这个地址。
当时问我的时候确实一脸懵，我还没调过这么底层。
那遇都遇到了，上呗。
首先我们需要回顾下该芯片DFlash的地址分配，EEL的结构以及需要配置的内容。
2.F1KM-S4 DFlash layout
该芯片DFlash layout如下：
每个block 64 bytes（最小擦除单位），最小编程单位 4bytes。
问题是出在编程地址上的，需要再回忆回忆flash controller这块。
在RH850 Flash memory User's Manual里详细描述了DFlash编程流程，关于编程地址的设定是在FSADDR寄存器里：
问题可能就出在了这里。
可我转念一想，这个库是官方给的，要有问题早解决了，我就问这个朋友，你改了啥。
他说，我按手册配了的，另外我想只用后面64KB，所以改了它里面的静态代码：
记住它，后面要考。
DFlash基本回顾到这差不多了，我们来看看它的EEL是怎么做的。
3.RH850 EEL架构
3.1 EEL Pool概念
还是根据官方手册，整个EEPROM模拟系统如下图：
EEL是在一个抽象级别上对DFlash进行读/写访问，理论上这个EEL可以随意开发，当然瑞萨提供了，那我们就用。
在上图中，我们可以看到用户既可以使用EEL的API，也可以使用FDL的API直接操作DFlash，为什么这么搞呢？
那肯定是根据数据更新频率、鲁棒性和实际开销来决定的。
例如有些数据只需要更新频率很低，例如vin码这种，写一次基本不再变了，就不需要用EEL来管理，只用FDL写一次，后面EEL读写擦都不会影响这个block。
那能不能把DFlash划成两类，一类用来做模拟EEPROM，一类就只单纯存一些不常变的数据，不需要复杂管理？
所以，这里就出现了DFlash Pool的概念，如下图所示：
以32KB DFlash为例，FDL pool通常就是这块芯片的DFlash大小，FDL API都能访问，EEL pool则是给EEL用来做模拟EE的，比如说24KB；User pool则是给用户调用FDL API直接操作DFlash。
那从用户角度来看，要移植EEL，首先是要配置FDL，告诉FDL：你能访问多大Dflash，也就是FDL Pool size；我有多少大小用来做flash模拟EEPROM，是从DFlash什么位置开始的。这里对应代码里的配置项：
那关于EEL本身的配置，我们需要考虑究竟是模拟多少KB的block，如何配置block来满足数据存储，什么情况下需要做好换页准备等等，对应代码配置项如下：
3.2 EEL Block结构
结构如下图所示：
Block Header固定28Bytes，用于表征EEL Blokc状态，
RZF Zone：Reference zone，参考区域包含管理EEL数据集所需的参考条目，包含数据集的存放位置和状态信息，从低地址往高地址写。
Data Zone：就是实际存放数据的地方，从高地址往低地址写。
了解到这里基本就差不多了，我们来结合实际调试情况看看问题所在。
4.问题剖析
要解决写错位置这个问题，就必须实际写到寄存器的地址是什么值。
向0xFF210004写0数据，看起来像是在写block header，但不管是写什么，它最后肯定是要调FDL Write API的，所以我们找到EEL->FDL的接口代码，如下：
在这里我们看到了给到FDL的write请求，地址信息居然是目的地址 - DFlash Read Add，而之前有一个要考的点就是他给配成了0xFF210000，这不就是4了？远远超出预期。
再进一步往下追，我们发现写到FSADDR的值毫无意外地就是4了：
问题应该就是这里了，看样子在EEL+FDL的设计里，FDL pool的首地址是固定的，就是当前芯片的DFlash首地址，没有考虑FDL Pool是DFlash其他地址的情况。
当我问这位朋友，你为啥想到改它的静态代码呢？他说，我就只想用后面一点Flash来做EEL，而且我只是这个核会用到这点DFlash，另一个核怎么用不清楚，我肯定想的是把我的FDL pool配到后面啊。
这么说起来好像也很有道理。
5.问题解决
那么在不动静态代码，要怎么解决他这个问题呢？
回到配置当中，首先这个还原
#define R_FCU_DFLASH_READ_ADD (0xFF200000u)
其次，我们再来看配置。
整个FDL pool为128KB，这是毋庸置疑的。
要模拟8KB的block（突然想到，理解为sector也行），那么就是8*1024/64 = 128个实际物理block(sector)来模拟，为了效率和空间，EEL_POOL_SIZE暂定5个虚拟Block大小，也就是40KB。
然后就是配置EEL Pool的首地址，这里设计有点巧妙：既然想模拟8KB，那么对用户来说，我们就假设这个DFlash的物理sector就是8KB，因此整个DFlash就有128/8 = 16个sector，我就可以选从第几个sector开始作为EEL POOL 首地址，选11，就用末尾40KB吧，这里对应实际物理地址应该是0xFF216000。
EEL配置项也相同变化即可。
我们来看看效果：
确实得偿所愿，FF216000初始化成功，首地址没数据。
我们进一步解析这个Block信息，按理说，Header有7个word来表征状态，如下：
其中，第一个word只会在无效时写入，因此之前出问题前面4个word全是0x55555555，这里就不一样了，就只有3个，对应prepare、active，紧接着跟到的EC 和RWP，RWP，reference write pointer，它指向的是上一个block RFZ和Data zone间隔符，主要用来快速分析所有活跃block的RFZ，内部用，还没理清原理。
仔细想想这里只有6个word，还有一个在哪里呢？
留个坑，后续有调了再说。
就酱，拜拜。
